International Patents/ Korean Patents

 

International Patents 

 

Registration patent

17. Electronic device using two dimensional semiconductor material

      (Registration No. US 11,024,759 B2; 2021. 06. 01)

16. Memory and logic device-integrated soft electronic system

      (Registration No. US 10,847,577 B2; 2020. 11. 24)

                                                                                                     

15. Two-dimensional semiconductor, manufacturing method therefor, and semiconductor device comprising same 

      (Registration No. US 107776389 B2; 2020. 09. 15)

14. Resistive memory device and method of fabricating the same

      (Registration No. US 8,980,721 B2; 2015.03.17)

 

13. Active metamaterial device and manufacturing method of the same

      (Registration No. US 8,890,767 B2; 2014.11.18)

 

12. Resistive memory device and method for fabricating the same

      (Registration No. US 8,344,344; 2013.01.01)

11. Resistive memory device and method for fabricating the same

      (Registration No. US 8,203,140; 2012.06.19)

10. Memory devices including dielectric thin film and method of manufacturing the same

      (Registration No. US 7,960,774; 2011.06.14)

 

  9. Method of manufacturing nano size-gap electrode device

      (Registration No. US 7,537,883 B2; 2009.05.26)

 

  8. Tri-gated molecular field effect transistor and method of fabricating the same

      (Registration No. US 7,436,033 B2; 2008.10.14)

 

  7. Method for manufacturing nano-gap electrode device

      (Registration No. US 7,413,973 B2; 2008.08.19)

 

  6. Method for manufacturing nano-gap electrode device

      (Registration No. US 7,138,331 B2; 2006.11.21)

 

  5. Derivatives of 4-sulfanylalkyl-3,5-dinitrobenzyl alcohol and method for preparing the same

     (Registration No. US 6,815,567 B2; 2004.11.09)

 

  4. Triode-type field emission device having field emitter composed of emitter tips with diameter of nanometers and

       method for fabricating the same

       (Registration No. US 6,648,712 B2; 2003.11.18)

  3. Field emission devices using carbon nanotubes and method thereof

      (Registration No. US 6,605,894 B2; 2003.08.12)

  2. Triode-type field emission device having field emitter composed of emitter tips with diameter of nanometers and

      method for fabricating the same

      (Registration No. US 6,472,802 B2; 2002.10.29)

  1. Field emission display device

      (Registration No. US 6,204,608 B1; 2001.03.20)

Application patent

 14. Memristor device, method of fabricating thereof, synaptic device including memristor device and neuromorphic device including synaptic device

      (US Patent Application No.17394276 ; 2021.08.04)

 13. Method for Synthesis of Ultrathin Metal Nanowires with 1T’-phase TMD nanosheet

      (JP Patent Application No. 2021-086191 ; 2021.05.21)

 

 12. TRANSITION METAL CHALCOGENIDE FOR PREPARING METAL NANOSTRUCTURES, METAL -NANOSTRUCTURES OBTAINED THEREBY, ELECTRONIC INSTRUMENT INCLUDING THE SAME, AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

     (EP Patent Application No. 21174949.4; 2021.05.20)

 

 11. Method for Synthesis of Ultrathin Metal Nanowires with 1T’-phase TMD nanosheet

      (US Patent Application No. 17090054; 2020.11.05)

  10. Synapse device for low power, high recognition rate of soft neuromorphic system

      (US Patent Application No. 16941891; 2020.07.29)

  9. Work function modulation of transition metal dichacogenides through in-situ oxygen annealing

      (US Patent Application No. 16925674; 2020.07.10)

  8. METHOD FOR MANUFACTURING DOPED GRAPHENE THIN FILM HAVING MESOPOROUS STRUCTURE USING FLASH LAMP AND GRAPHENE THIN FILM WITH MESOPORE MANUFACTURED THEREBY

      (US Patent Application No. 16720468; 2019.12.19)

  7. Method for synthesis of transition metal dichalcogenides alloys using light sources and transition metal dichalcogenides alloys synthesized by the same

      (US Patent Application No. 16716866; 2019.12.17)

  6. Flexible thin-film transistor using two-dimensional semicondoctor material

      (US Patent Application No. 16715021; 2019.12.16)

  5. Oxygen Gas-Assisted Metalorganic Chemical Vapor Deposition of Transition Metal Dichalcogenides

      (US Patent Application No. 16226857; 2018.12.20)

  4. Flexible thin film transistor using engineered multiple gate stack(oxide/polymer) for organic light emitting diode(OLED) display

      (US Patent Application No. 16226897; 2018.12.20)

  3. QUANTUM DOT HAVING CONJUGATED BLOCK COPOLYMER

      (US Patent Application No. 62246219; 2015.10.26)

  2. Graphene oxide memory devices and method of fabricating the same

      (US Patent Application No. 13200644; 2011.09.28)

  1. METHOD FOR FORMING GRAPHENE USING LASER BEAM, GRAPHENE SEMICONDUCTOR MANUFACTURED        BY THE SAME, AND GRAPHENE TRANSISTOR HAVING GRAPHENE 

      (US Patent Application No. 13233553; 2011.09.15)

Application PCT patent

  4. High-performance near-infrared light sensor based on heterojunction of two-dimensional ferroelectric semiconductor

      (Application No. PCT/KR2020/015003; 2020.10.30)

  3. Soft electronic system integrating memory and logic device

      (Application No. PCT/KR2017/006949; 2017.06.30 '출원완료후 단계' on KAIST PPMS)

  2. Semiconductor having Graphene Barristor for to Tuning Work Function

      (Application No. PCT/KR2014/006499; 2014.07.17 '출원완료후 단계' on KAIST PPMS)

  1. METHOD FOR PREPARING MOLYBDENUM DISULPHIDE NANOSHEET, STRIPPING LIQUID THEREFOR AND MOLYBDENUM DISULPHIDE NANOSHEET PREPARED THEREBY

      (Application No. PCT/KR2014/006498; 2014.07.17 '출원완료후 단계' on KAIST PPMS)

Korean Patents

Registration patent

47. 플래쉬 램프를 이용한 도핑된 메조포어 구조의 그래핀 박막 제조방법 및 이에 의하여 제조된 메조포어 구조의 그래핀 박막

       (Method for manufacturing graphene thin film with mesopore structures using flash lamp and graphene thin film with                     mesopore structures manufactured by the same)

        (10-2334991-0000; 2021.11.30)

46. 소프트 뉴로모픽 시스템을 위한 소프트 멤리스터 (Soft Memristor for Soft Neuromorphic System)

       (10-2314918-0000; 2021.10.14)

45. 귀금속이 코팅된 구리 나노와이어의 제조방법, 이를 포함하는 구리 나노와이어 및 디바이스

       (METHOD OF CU-AU CORE-SHELL NANOWIRE SYNTHESIS WITH CU NANOWIRE LIGAND EXCHANGE, CU-AU CORE-SHELL               NANOWIRE AND DEVICE THEREOF)

       (10-2282300-0000; 2021.07.21)

44. 레이저 패터닝을 이용한 금속나노와이어 기반 복합 전극의 제조 방법

       (MANUFACTURING METHOD FOR COMPOSITE ELECTRODE BASED METAL NANOWIRE USING LASER PATTERNING)

       (10-2216735; 2021.02.09)

43. 일함수 조절이 가능한 그래핀 배리스터를 포함하는 반도체 소자

       (Semiconductor having Graphene Barristor for to Tuning Work Function)

       (10-2172481; 2020.10.26)

42. 이차원 반도체 소재를 이용한 전자소자 (Electronic devcie using two dimensional semicondoctor material)

       (10-2153945; 2020.09.03)

41. 전이금속칼코겐화합물(TMDC) 박막, 그 제조방법 및 이를 포함하는 디스플레이 소자 (Transition metal dichalcogenide thin               film, manufacturing for the same, and dislpay component comprising the same)

       (10-2102691; 2020.04.14)

 

40. 과포화 용액의 가변 상변화를 활용한 스마트 윈도우 (Smart window device with supersaturated solution reversible phase change)

       (10-2096418; 2020.03.27)

 

39. 플라즈몬 결합을 통한 다층그래핀 기반의 광전소자 (Plasmon Induced Photovoltaic Effect in Vertical Homojunction of                       Multilayer Graphene)
       (10-0078223; 2020.01.29)

 

38. 질화규소막에서 발생하는 비정형적 균열을 이용한 투명전극의 제조방법 (Manufacturing method of transparent conductor             using random cracking of silicon nitride film)

       (10-2002313; 2019.07.16)

 

37. 메모리와 논리 소자가 통합된 소프트 멤리스터 및 이를 이용한 병렬 컴퓨팅 방법 (Soft memristor with integrated memory and         logic devices and parallel computing method using the same)

       (10-1973110; 2019.04.22)

 

36. 투명전극 및 이를 제조하는 방법과 제조장치 (TRANSPARENT ELECTRODE, METHOD AND APPARATUS MANUFACTURING                 THE SAME)

       (10-1947641; 2019.02.07)

 

35. 2차원 반도체, 이의 제조 방법, 및 이를 포함하는 반도체 소자 (TWO-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR, PRODUCING METHOD           THEREOF, AND A SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING THE SAME)

       (10-1792953; 2017.10.26)

 

34. 그래핀 전사 방법 및 그 응용 (Method for transferring graphene and application using the same)

       (10-1760563; 2017.07.17)

 

33. 다중저항변화 메모리소자 (Multiple resistance random access memory device)

       (10-1741991; 2017.05.25)

 

32. 메타물질 능동소자 및 그의 제조방법 (active metamaterial device and manufacturing method of the same)

       (10-1729178; 2017.04.17)

   

31. 이원소성 화합물의 삼분리 현상을 이용한 실리신 제조방법, 이에 의하여 제조된 실리신 (Method for Manufacturing                               Silicene using Phase Separation of Binary Compound and Silicene Manufactured by the Same Method)

       (10-1685149; 2016.12.05)

 

30. 그래핀 기반 봉지막 및 그 제조방법 (ENCAPSULATION FILM BASED ON GRAPHENE AND METHOD FOR MANUFACTURING                THE SAME)

       (10-1650724; 2016.08.18)

 

29. 자기조립물질을 이용한 그라핀 나노구조체의 제조방법 (Method for Preparing Graphene Nano Structures Using Self-                        Assembling Material)

       (10-1630390; 2016.06.08)

 

28. 몰리브덴 디설파이드나노시트 제조방법, 이를 위한  박리액 및 이에 의하여 제조된 몰리브덴 디설파이드 나노시트

      (Method for manufacturing MoS2 nanosheet, agent for the same, and MoS2 nanosheet manufactured by the same)

      (10-1580211; 2015.12.18)

 

27. 저항형 메모리 장치 및 그 형성 방법 (Resistive memory device and method of forming the same)

       (10-1405421; 2014.06.02)

 

26. 저항형 메모리 장치 및 그 제조 방법 (Resistive memory device and method of fabricating the same) 

       (10-1361658; 2014.02.05)

 

25. 레이저를 이용한 그래핀 특성 향상 방법, 이를 이용한 그래핀 제조방법, 이에 의하여 제조된 그래핀(Method for improving                    graphene property, method for manufacturing graphene using the same, graphene manufactured by the same) 

       (10-1206136; 2012.11.22)

 

24. 레이저를 이용한 반도체 소자 제조방법, 이에 의하여 제조된 그래핀 반도체 및 그래핀 트랜지스터 (Method for manufacturing          semiconductor device, graphene semiconductor and transistor manufactured by the same)  

      (10-1172625; 2012.08.02)

 

23. 레이저를 이용한 그래핀 반도체 소자 제조방법, 이에 의하여 제조된 그래핀 반도체 소자, 및 그래핀 반도체 소자를 포함

       하는 그래핀 트랜지스터 (Method for manufacturing graphene semiconductor device, graphene semiconductor device                      manufactured by the same, graphene transistor comprising the graphene semiconductor device) 

       (10-1169538; 2012.07.23)

 

22. 레이저를 이용한 그래핀 제조방법, 이에 의하여 제조된 그래핀, 이를 위한 제조장치(Method for manufacturing graphene,                  graphene manufactured by the same, manufacturing device for the same) 

      (10-1127742; 2012.03.09)

 

21. 레이저를 이용한 그래핀 반도체 소자 제조방법, 이에 의하여 제조된 그래핀 반도체 소자, 및 그래핀 반도체 소자를 포함

      하는 그래핀 트랜지스터 (Method for manufacturing graphene semiconductor device, graphene semiconductor device                     manufactured by  the same, graphene transistor comprising the graphene semiconductor device) 

     (10-1113287; 2012.01.31)

 

20. 메모리 소자 및 그 제조방법 (Memory devices and method for fabricating the same)

      (10-0913395; 2009.08.14)

 

19. 유전체 박막을 포함하는 메모리 소자 및 그 제조 방법 (Memory Devices including Dielectric Thin Film and The Manufacturing             Method thereof )

       (10-0769547; 2007.10.17)

 

18. 유기 반도체 소자 및 그 제조방법 (Organic Semiconductor Devices and Fabrication Methods of the same)

       (10-0744959; 2007.07.26)

 

17. 나노갭 전극소자의 제작 방법 (Method of manufacturing nano-gap electrode device)

       (10-0714924-0000; 2007.04.27)

 

16. 쓰리-게이트 전계효과 분자트랜지스터 및 그 제조 방법 (Tri-gated molecular field effect transistors and a method for                          fabricating the same)

       (10-0584719; 2006.05.23)

 

15. 나노갭 전극소자의 제작 방법 (Method for manufacturing nano-gap electrode device)

       (10-0565174; 2006.03.22)

 

14. 분자 스위치 소자 (Molecular switching devices)

       (10-0560431; 2006.03.07)

 

13. 고집적 고속 정보기록판독 장치 (High density and high speed data storage device)

       (10-0549445; 2006.01.27)

 

12. 4-설파닐알킬-3,5-디니트로-벤질 알콜 유도체 및 그의 제조 방법 (Derivatives of 4-sulfanylalkyl-3,5-dinitrobenzyl alcohol and            preparation method there of)

       (10-0535816; 2005.12.05)

 

11. 자기조립 단분자막 전계효과 트랜지스터 및 그 제조 방법 (Self-assembled monolayer field-effect transistors and methods of          manufacturing the same)

       (10-0496432; 2005.06.11)

 

10. 분자전자소자 제조 방법 (Method for fabricating molecular electric devices)

       (10-0470831; 2005.01.31)

 

  9. 분자전자소자 제조 방법 (Method for fabricating molecular electronic devices)

      (10-0450757; 2004.09.20)

 

  8. 단일 탄소 나노튜브를 이용한 반도체 소자 및 그 제조 방법 (Semiconductor device using a single carbon nanotube and a                    method for manufacturing of the same)

      (10-0426495; 2004.03.29)

 

  7. 탄소 나노튜브를 가진 삼극 구조의 전자소자에 대한 제조 방법 (Method for manufacturing electronic device with triod-type              carbon nanotube field emitter arrays)

       (10-0416492; 2004.01.14)

 

  6. 정보 저장 장치 및 그것에 이용되는 정보 저장 매체 제조 방법 (Data storage device and method of producing magnetic                        recording media used it)

      (10-0396845; 2003.08.21)

 

  5. 수평 탄소 나노튜브를 구비하는 전자소자 및 그 제조 방법 (Electronic devices having horizontal carbon nanotubes and method        for forming the same)

      (10-0373327; 2003.02.10)

 

  4. 2-대역 파장 레이저 조사에 의한 국소부의 온도 조절 장치 (Laser induced heating device by illuminating 2-band laser lights)              (10-0371141; 2003.01.22)

 

  3. 탄소 나노 튜브를 이용한 전계 방출 소자 및 그 제조 방법 (Field emission devices using carbon nanotubes and method there              of) (10-0362377; 2002.11.12)

 

  2. 소스/드레인으로서 탄소 나노튜브를 갖는 공명 투과 트랜지스터

     (Resonant tunneling transistor with carbon nanotubes as source and drain)

     (10-0340926; 2002.06.03)

 

  1. 전계방출디스플레이 장치 (Field emission display device)

      (10-0301242; 2001.06.22)

 

Application patent

 

  13. 전이금속 디칼고게나이드 도핑방법 및 이에 의하여 도핑된 전이금속 디칼코게나이드

      (10-2022-0031925; 2022-03-15)

  12. 고결정성 이차원소재 제조방법 및 이에 의하여 제조된 고결정성 이차원소재

     (10-2021-0169970; 2021-12-01)  

  11. 강유전체를 이용한 광센서 및 그 제조방법  ()

     (10-2020-0142477; 2020.10.29)

  10. 멤리스터 소자, 그 제조 방법, 멤리스터 소자를 포함하는 시냅틱 소자 및 시냅틱 소자를 포함하는 뉴로모픽 소자  ()

     (10-2020-0098219; 2020.08.05)

  9. 금속 나노구조체 제조용 전이금속 칼코게나이드, 이에 의하여 제조된 금속 나노구조체, 이를 포함하는 전자기기 및 그 제조방법  ()

     (10-2020-0060883; 2020.05.21)

  8. 금이 코팅된 구리-금 나노와이어의 제조방법, 이를 포함하는 구리-금 나노와이어 및 디바이스  ()

     (10-2020-0026143; 2020.03.02)

  7. 광전류 특성이 가변되는 광전소자, 그 제어방법 및 제조방법 ()

     (10-2020-0011389; 2020.01.30)

  6. 플래쉬 램프를 이용한 도핑된 그래핀 박막 제조방법 및 이에 의하여 제조된 그래핀 박막 ()

     (10-2018-0165866; 2018.12.20)

  5. 광원을 활용한 전이금속칼코젠화합물 합금 제조방법 및 이에 의하여 제조된 전이금속칼코젠화합물 합금 ()

     (10-2018-0165868; 2018.12.20)

  4. 이차원 물질을 포함하는 박막 트랜지스터, 이를 포함하는 디스플레이 및 그 제조방법 ()

     (10-2018-0162127; 2018.12.14)

 

  3. 이차원 반도체 소재를 이용한 유연 박막 트랜지스터 ()

     (10-2018-0162133; 2018.12.14)

  2. 다공성 질화 그래핀의 제조 방법 ()

     (10-2018-0054628; 2018.05.14)

  1. 저항변화메모리 ()

      (10-2015-0056866; 2015.04.22)